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壓電驅(qū)動(dòng)納米位移臺(tái)應(yīng)用領(lǐng)域

壓電驅(qū)動(dòng)納米位移臺(tái)應(yīng)用領(lǐng)域

壓電驅(qū)動(dòng)納米位移臺(tái)的出現(xiàn),解決了傳統(tǒng)納米臺(tái)行程小而微米電動(dòng)臺(tái)分辯精度不高的問題。在科研市場(chǎng)、半導(dǎo)體市場(chǎng)、先進(jìn)制造業(yè)、生物醫(yī)藥行業(yè)、光學(xué)、通信等領(lǐng)域已廣泛應(yīng)用。 納米位移臺(tái)的工作原理 納米位移臺(tái)主要采用運(yùn)動(dòng)控制,由光、機(jī)、電、控制軟件等多領(lǐng)域技術(shù)集成的運(yùn)動(dòng)控制技術(shù)。 內(nèi)部由一個(gè)或多個(gè)壓電陶瓷作為驅(qū)動(dòng),...
傳統(tǒng)納米位移臺(tái)行程小,性能達(dá)不到要求怎么辦?

傳統(tǒng)納米位移臺(tái)行程小,性能達(dá)不到要求怎么辦?

傳統(tǒng)納米位移臺(tái)行程小而微米電動(dòng)臺(tái)分辯精度不高,性能無法達(dá)到要求。而壓電驅(qū)動(dòng)納米位移臺(tái),使用壓電陶瓷作為運(yùn)動(dòng)促動(dòng)元件,可以在數(shù)百毫米范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)別的步長(zhǎng),正好解決了這一問題。目前壓電驅(qū)動(dòng)納米位移臺(tái)在科研市場(chǎng)、半導(dǎo)體市場(chǎng)、先進(jìn)制造業(yè)、生物醫(yī)藥行業(yè)、光學(xué)、通信等行業(yè)有廣泛應(yīng)用。 壓電驅(qū)動(dòng)納米位移臺(tái)...
壓電二維納米位移臺(tái)性能優(yōu)勢(shì)

壓電二維納米位移臺(tái)性能優(yōu)勢(shì)

壓電二維納米位移臺(tái) XYMF-133-lODA,為長(zhǎng)行程納米平移臺(tái),具有分辨率高,行程大,帶有高精度及高分辨率的位置反饋,操作簡(jiǎn)單,定位糟準(zhǔn),能在真空下使用等優(yōu)點(diǎn),其中XYMF-133-100A平移臺(tái)可實(shí)現(xiàn)在XY二維空間上的準(zhǔn)確定位,可應(yīng)用于需要納米精度運(yùn)動(dòng)操作及定位的各個(gè)領(lǐng)域。 壓電二維納米位移臺(tái)使用壓電陶瓷驅(qū)動(dòng),運(yùn)動(dòng)無需...
壓電旋轉(zhuǎn)納米位移臺(tái)RF系列應(yīng)用領(lǐng)域

壓電旋轉(zhuǎn)納米位移臺(tái)RF系列應(yīng)用領(lǐng)域

壓電旋轉(zhuǎn)納米位移臺(tái)RF系列,通過壓電陶瓷驅(qū)動(dòng),具有定位準(zhǔn)確,位置保持性好,自帶鎖緊,能360°旋轉(zhuǎn)等優(yōu)點(diǎn)。在增強(qiáng)位置反饋模塊后,可實(shí)現(xiàn)高精度及高分辨率的開環(huán)/閉環(huán)控制,適用于大氣及真空環(huán)境下工作。 壓電旋轉(zhuǎn)納米位移臺(tái)RF系列應(yīng)用: 1、電子顯微鏡原位納米探針臺(tái)。 2、半導(dǎo)體芯片檢測(cè)。 3、光刻機(jī)工件臺(tái)。 4、微生...
壓電納米位移臺(tái)優(yōu)勢(shì)有哪些?

壓電納米位移臺(tái)優(yōu)勢(shì)有哪些?

壓電驅(qū)動(dòng)納米位移臺(tái),使用壓電陶瓷作為運(yùn)動(dòng)促動(dòng)元件,可以在數(shù)百毫米范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)別的Z小步長(zhǎng),從而解決了傳統(tǒng)納米臺(tái)行程小而微米電動(dòng)臺(tái)分辯精度不高的問題。在科研市場(chǎng)、半導(dǎo)體市場(chǎng)、先進(jìn)制造業(yè)、生物醫(yī)藥行業(yè)、光學(xué)、通信等行業(yè)有廣泛應(yīng)用。 壓電納米位移臺(tái)優(yōu)勢(shì): 1、結(jié)構(gòu)緊湊,高剛性。 2、高精度柔性鉸鏈導(dǎo)向...
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)基礎(chǔ)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)基礎(chǔ)

今天卓聚科技小編來給大家介紹一下等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備的技術(shù)基礎(chǔ)。 1、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的主要過程 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過應(yīng)氣體放電來制備薄膜...
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