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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)有哪些部分組成?

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)哪些部分組成(PECVD)?很多老師不了解PECVD的組成,下面卓聚科技小編為大家介紹一下。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),生長樣品腔的管徑60-120mm,它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統(tǒng)、機(jī)械泵、真空密封及測量系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)組成,極限真空度可達(dá) 10^-5 torr 。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)(點擊了解參數(shù))

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)主要特點:

1,優(yōu)勢在于各種薄膜材料、低維納米材料等的制備(尤其適用于過渡金屬二維半導(dǎo)體材料的生長與原位摻雜,以及多元二維材料的生長)

2,可選配遠(yuǎn)程等離子射頻發(fā)生系統(tǒng),可用于各種薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表面修飾(尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長,缺陷調(diào)控,以及器件制作工藝中的殘膠去除)

3,生長工藝設(shè)計先進(jìn),能滿足襯底無催化生長

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